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DDR3 Memory PHY

随着设计时间的缩短和对成本敏感度的提高，消费类电子产品需要能够提高灵活性并缩短上市时间的低风险解决方案。我们经过硅验证的 DDR3 PHY 旨在简化集成并针对消费类应用进行了优化，支持低成本封装和电路板设计选项，提升了性能和裕度。

DDR3 工作原理

Rambus DDR3 内存 PHY 针对消费类应用进行了优化，降低了系统成本，提升了性能，缩短了上市时间。该 PHY 完全兼容 1.5V 的 DDR3 和 1.35V 的 DDR3L，可扩展至 2133Mbps，在设计阶段对替代 SOC、封装和 PCB 环境进行了大量建模与仿真，以简化实现并确保设计一次性成功。为了提高设计的灵活性，R+ DDR3 PHY 支持引线键合（最高可达 1600 Mbps）和倒装芯片（最高可达 2133 Mbps）封装选项，并兼容 4 层和 6 层 PCB 设计。此外，还采用 FlexPhase™ 电路，支持每字节时序调整电路校正数据和时钟信号的偏差，从而提高信号完整性并简化封装和 PCB 系统设计。
DDR3 PHY 经过了全面符合标准的测试，可用于 28LP 工艺。