AGIC顺利完成14奈米FinFET流片
AGIC一次可编程(OTP)内存硅智财 C-Fuse已顺利完成14nm流片(Tape-out)，并将陆续与多家一线晶圆厂合作导入180nm到22nm工艺，以迎接未来于车用电子及AIoT相关IC应用的爆炸性需求。
AGIC为领导半导体非挥发性(NVM)内存之硅智财供货商。今(18)日宣布其一次可编程(OTP)内存C-Fuse在14 奈米鳍式场效晶体管（FinFET）工艺已完成流片(Tape-out)。AGIC优异的设计能力将提供于先进工艺更具竞争力的OTP解决方案，足以因应车用电子及AIoT传传感器等应用领域需求。
在半导体工艺已推进至16奈米以下，面积利用率与功耗都有显著改善。以采用14奈米FinFET技术产品为例，速度较采用28奈米工艺加快近50％~60%，且功耗减少约50％。在先进工艺中，OTP的良率及可靠度将面临比以往更重大的挑战，然而可靠度是上述应用产品的基本要求。
以浮闸 (Floating-Gate) 技术来说，高温与氧化层薄化将危及数据保存的稳定度，因而鲜少用于65奈米以下及需要高稳定度的产品。而反熔丝 (Anti-Fuse) OTP为克服于40奈米以下因漏电所导致良率低下问题，必须在每位增加内存单元或补偿电路 (如ECC)，如此将增加使用面积。至于常见于0.5微米到7奈米工艺以下的电子熔丝(eFuse) OTP，则有大面积、高功耗及良率低的缺陷。对比以上传统OTP，AGIC C-Fuse是唯一不受工艺限制，并能兼顾小面积和低功耗的OTP解决方案。
AGIC C-Fuse技术设计采用埃捷克粒子动量 (AGIC Particle Momentum)，透过原子、电子的相互作用来控制半导体中原子运动方向，取代破坏性的刻录，避免悬浮粒子影响良率，其优异的「高稳定度」与「抗高温」特性，可说是为次世代车用电子、人工智能物联网(AIoT)量身打造的OTP IP解决方案。
AGIC C-Fuse已顺利完成14nm下线，并将于下半年陆续与多家一线晶圆厂合作导入180nm到22nm工艺，以迎接未来于车用电子及AIoT相关IC应用的爆炸性需求。
关于AGIC (Artificial General Intelligence Cosmos IP total solution):
- 使用现有的标准流程，不需要额外的光罩
- 可靠编程是通过可控制的、不可逆的电流编程。
- 涵盖CMOS、BJT、DRAM、BCD、HV等制程，非常适合模拟、电源管理晶(Power Management ICs，PMIC)、触控显示驱动芯片(Touch Panel Controller)、LCD/OLED等…
- 涵盖350nm至5nm及以下的制程。
- 工作温度范围为-55°C至175°C及更高温度。
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