创意电子宣布旗下5nm HBM3 IP已通过 8.4 Gbps 流片验证
台湾新竹 – 2023 年 9 月 6 日 – 先进 ASIC 领导厂商创意电子 (GUC) 今日宣布，该公司采用台积电 5nm制程技术的 HBM3 IP解决方案已通过 8.4 Gbps 流片验证。此方案采用台积电领先业界的 CoWoS® 技术，以结合功能完善的 HBM3 控制器、物理层 IP，以及厂商 HBM3 内存。该平台已于 2023 年台积电北美技术论坛的合作伙伴展示区内公开展示。
自 2020 年起，许多客户皆采用创意电子旗下的 HBM 控制器和物理层 IP 来进行 HPC ASIC 生产。而HBM 内存厂商正持续将传输率和内存大小从 HBM3 提升至 HBM3E/P，并在HBM4进一步加宽信号总线宽度。然而，在基本 DRAM 时序参数未改变的情况下，HBM 控制器亦需不断强化以提高总线利用率。创意电子的 HBM3 控制器可在随机存取操作时，实现超过 90% 的总线利用率并保有低延迟性。创意电子采用台积电 5nm技术的 HBM3 IP 已通过流片验证，并已推出采用 3nm的 HBM3 IP, 此 IP 支持台积电 CoWoS-S 和 CoWoS-R，并可达到目前尚在规划中的下一代 HBM3E/P 内存的速度。
鉴于 Level 4 自动驾驶计算机讲求爆发性的运算能力，车用处理器纷纷开始采用 2.5D 小芯片架构和 HBM3 内存。在严苛的车用环境和高可靠性要求下，持续监控 2.5D 互连和替换故障通道都成为不可或缺的环节。创意电子在旗下的所有 HBM 和晶粒对晶粒接口测试芯片中整合了 proteanTecs 的运作状况和效能监控解决方案。proteanTecs 的技术现已通过创意电子 5nm HBM3 IP 完成 8.4 Gbps 速度的流片验证。在现场作业数据传输期间，I/O 信号质量将持续受到监控，且不须任何再训练或中断传输。每个信号通道都会个别进行监控，以先行识别和修复缺陷，从而避免其造成系统故障，并延长芯片使用寿命。创意电子总经理戴尚义博士表示：「我们很荣幸能展示全球第一款 8.4 Gbps 的 HBM3 控制器和物理层IP设计方案。创意电子采用台积电的 7nm、5nm和 3nm技术，建立了完备的 2.5D/3D 小芯片 IP 产品组合。本公司将结合包括 CoWoS、InFO 和 TSMC-SoIC 在内的多项台积电 3DFabric™ 技术设计专业，为客户的人工智能 (AI)/高效能运算 (HPC)/xPU/网络/先进驾驶辅助系统 (ADAS) 产品提供稳健且全方位的解决方案。」
创意电子技术长 Igor Elkanovich 提到：「我们在 2.5D 小芯片产品领域累积了深厚的制造经验，不仅藉此定义出最严谨的验证标准，更为旗下 IP 提供全方位的诊断功能，可满足全球先进汽车制造商最严格的质量条件。使用 HBM3、GLink-2.5D/UCIe 及 GLink-3D 界面于2.5D 与 3D 封装的趋势有助于日后研发出高度模块化、以小芯片为基础且不受限于光罩尺寸的新一代处理器。」
创意电子的 HBM 控制器与物理层 IP
| 台积电制程节点 | 速度 | 设计完成 |
| 7nm HBM3 | 7.2 Gbps | V (与 6nm相容) |
| 5nm HBM3 | 8.4 Gbps | V (与 4nm相容) |
| 3nm HBM3 | 8.6 Gbps | V |
GUC D2D (GLink-2.5D 和 UCIe) IP
| 台积电制程节点 | 带宽 (全双工) | 设计完成 |
| 7nm GLink 1.0 | 0.7 Tbps/mm | V (与 6nm相容) |
| 5nm GLink 2.3LL | 2.5 Tbps/mm | V (与 4nm相容) |
| 3nm GLink 2.3LL | 2.5 Tbps/mm | V |
| 3nm UCIe 1.0 | 5.1 Tbps/mm | 2023 年第 4 季 |
若要进一步了解相关信息，请直接联络您的创意电子销售代表，或是寄送电子邮件至 guc_sales@guc-asic.com
关于创意电子 GLOBAL UNICHIP CORP. (GUC)
创意电子是先进客制化 IC 领导厂商，使用最先进的制程和封装技术，为半导体产业提供领先的 IC 设计和 SoC 制造服务。公司总部位于台湾新竹，在中国、欧洲、日本、韩国和北美均设有分支机构，并在全球各地享有盛誉。创意电子在台湾证券交易所公开交易，代号为 3443。更多相关信息请参阅www.guc-asic.com
|
||||||
