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FCRAM I控制器
快速周期RAM（FCRAM）是一种带有专门存储器核技术的DRAM技术，实现了更快的随机存取时间，并且与传统DRAM相比，功耗更低。FCRAM是日本富士通公司的注册商标。随着网络和通信市场有了速度更快的应用出现，对于存储器的性能提出了更高的要求，才能满足这些新应用结构上的需要。FCRAM存储器技术解决了这些新兴应用的需求。FCRAM为需要DRAM密度并且随机存取周期性能接近SRAM速度的应用，提供一个具有成本效益的解决方案。
莱迪思的FCRAM I控制器核提供了一个简单而灵活的解决方案，用于不同的FCRAM I存储器与用户应用逻辑的连接。在存储器方面，FCRAM I控制器核使用（可配置的）8位或16位DDR存储器接口连接到FCRAM I数据总线。在用户端，IP核提供了一个简单的指令接口，接收读、写和刷新指令。IP核可以连接到256 Mbit FCRAM I器件（速度等级-60/CAS延迟3和4以及-55/CAS延迟3）。
莱迪思的FCRAM I控制器核提供了一个简单而灵活的解决方案，用于不同的FCRAM I存储器与用户应用逻辑的连接。在存储器方面，FCRAM I控制器核使用（可配置的）8位或16位DDR存储器接口连接到FCRAM I数据总线。在用户端，IP核提供了一个简单的指令接口，接收读、写和刷新指令。IP核可以连接到256 Mbit FCRAM I器件（速度等级-60/CAS延迟3和4以及-55/CAS延迟3）。
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Block Diagram of the FCRAM I控制器
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