力旺电子和联华电子合作22奈米RRAM可靠度验证提供AIoT 和行动通讯市场的低功耗内存解决方案

双方将扩大开发车规级RRAM合作

台湾新竹，3月28日，2023 -- 硅智财供货商力旺电子(eMemory)与全球半导体晶圆专工领导厂商联华电子今日宣布，力旺的可变电阻式内存(RRAM)硅智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式内存解决方案，未来双方也将持续合作开发车用规格的RRAM。

力旺电子提供的8Mb RRAM IP具有额外的16Kb信息储存区块和内部修复与错误侦测/修正等关键功能，可用于IoT设备中的微控制器和智能电源管理IC的编码储存，还可以支持人工智能之内存内运算架构。联电提供22奈米的0.8V/2.5V RRAM平台，使用较少的光罩层数、较短的生产周期和更容易与BCD、高压等特殊制程整合的优势。

「对40奈米、22奈米和高阶制程而言，RRAM是不可或缺的多次编程嵌入式内存选项。力旺的下一个RRAM开发目标是对应汽车应用需求，在22奈米 0.8V/2.5V 平台实现更高的储存密度(16Mb)、更快的速度、更高的写入温度耐受度和持续提升的覆写能力。」力旺电子技术长暨第二事业群总经理林庆源表示：「此外，我们继续推进在0.8V/1.8V ULP上的开发。凭借其用于读取和写入模式的低工作电压，力旺的RRAM将成为主流技术平台上最具成本效益的eFlash解决方案，并可扩展至更多制程节点。」

联电技术开发部副总经理徐世杰表示：「随着AIoT应用不断地拓展，市场对低功耗非挥发性内存的需求逐渐增加。力旺电子的IP成功的在联电22奈米RRAM平台完成验证，为客户在开发下一代产品时提供更强大的内存解决方案。联电致力于提供多元和差异化的特殊制程技术，我们很高兴与力旺电子合作，持续强化AIoT与车用市场的嵌入式内存方案。」

力旺电子的RRAM IP具有一万次覆写能力和长达10年的数据保留，并可承受高达105度的高温。为了方便用户，这款RRAM IP设计具备友善的接口、完整的用户模式和测试模式，并可在0.8V/2.5V标称双电压接口下进行编程。RRAM不需对前端制程做额外调整，并采用低温后端制程，几乎不会产生额外的热预算，因此备受市场期待。与分离闸闪存(split-gate Flash)相比，RRAM具有相对简单的结构、使用较少层的光罩、较友善的制程和更高的CMOS制程兼容性。在对性能要求相对严格的汽车应用中，RRAM与MRAM相比，具有更佳的抗磁能力。(更多技术特性介绍请参考eMemory's website）

关于力旺电子

力旺电子(3529)成立于 2000 年，是全球知名的半导体硅智财供货商，在全球嵌入式非挥发性内存市场(embedded Non-volatile Memory)位居领导地位。在2019年更跨足芯片安全领域，导入其出色的反熔丝可一次编写内存(anti-fuse OTP)与物理不可复制功能(PUF)技术，开发芯片安全解决方案。

继可一次编写内存（NeoBit/NeoFuse）取得突破性成功后，力旺电子持续扩展其IP 产品线，包括可多次编写内存（NeoMTP/NeoEE）、闪存（NeoFlash/ReRAM）和PUF技术（NeoPUF）。 此外，通过子公司熵码科技，以创新的PUF和安全OTP为核心提供安全子系统和各式解决方案，包括信任根模块PUFrt和加密协处理器PUFcc。

作为世界领先的 IP 供货商，eMemory 已为全球 2,200 多家晶圆厂、整合组件厂和IC设计公司提供一流的硅智财解决方案，并致力于与我们的客户及合作伙伴一起推动先进应用的技术发展。欲了解更多力旺电子的最新消息，详见 www.ememory.com.tw

关于联华电子

联华电子(纽约证交所代码：UMC，台湾证交所代码：2303)为全球半导体晶圆专工业界的领导者，提供高质量的晶圆制造服务，专注于逻辑及特殊技术，为跨越电子行业的各项主要应用产品生产芯片。联电完整的制程技术及制造解决方案包括逻辑/混合信号、嵌入式高压解决方案、嵌入式非挥发性内存、RFSOI及BCD。联电大部分的十二吋和八吋晶圆厂及研发中心位于台湾，另有数座晶圆厂位在亚洲其他地区。联电现共有十二座晶圆厂，总月产能超过85万片八吋约当晶圆，且全部皆符合汽车业的IATF 16949质量认证。联电总部位于台湾新竹，另在中国、美国、欧洲、日本、韩国及新加坡设有服务据点，目前全球约有20,000名员工。
详细信息，请参阅联华电子官网: https://www.umc.com