NeoFuse硅智财成功导入联电28奈米 HV工艺 抢攻OLED市场

【新竹讯】力旺电子今日宣布一次可编程(OTP)内存硅智财NeoFuse已成功导入联电28奈米高压(HV)工艺，强攻有机发光二极管(OLED)市场，关键客户已经完成设计定案(Tape Out)并准备量产。

力旺业务发展中心副总何明洲表示，继之前与联电合作的高压工艺平台的各式解决方案，我们非常开心可以与联电进一步在28奈米高压工艺的合作，因应OLED市场的需求，为客户带来最大的价值。

联电硅智财研发暨设计支持处林子惠处长也表示，力旺NeoFuse硅智财与联电28奈米高压工艺的合作，使我们的客户得以客制化IC以符合OLED市场的高规需求。他更补充，不管是之前的55奈米、40奈米到现在的28奈米高压工艺，联电与力旺的合作成果都是非常正面的，我们客户在各种显示器应用市场大有斩获，其中当然也包括OLED市场。

高阶手机配备OLED显示器已然成为趋势，对小尺寸显示器驱动芯片(SDDI)效能要求亦更高，这样的需求也显示在工艺平台的选择上，OLED关键客户逐渐从55奈米或40奈米往更先进的28奈米高压工艺靠拢。

28奈米高压工艺可使高效能显示器引擎的复杂运算能力发挥最大功能，提供OLED显示器驱动芯片更快的数据访问速度，更高容量的静态随机存取内存(SRAM)及更好的功耗，同时达到高画质与省电的目的。

联电在2019年的小尺寸显示器驱动芯片(SDDI)量产晶圆出货量为全球之冠，其28奈米后闸式(Gate-Last) HKMG工艺具备优越管理漏电功耗与动态功率表现，可以提升行动装置的电池寿命，以此为基础，其28奈米高压工艺提供业界最小的静态随机存取内存(SRAM)记忆单位(Bit-cell)以减少芯片整体面积。

力旺是世界领导之逻辑非挥发性内存硅智财厂商，其NeoFuse硅智财为各种类型之应用提供低功耗、高可靠度、高安全性之解决方案，已经广泛布建于世界各大晶圆厂，从0.15um工艺至先进工艺节点均已布建，未来也将继续与晶圆厂紧密合作，为客户创造最大利润与价值。

关于力旺电子

力旺电子(3529)是全球知名的领导半导体硅智财供货商，专精嵌入式Hard IP设计。自2000年成立以来，力旺持续提供全球1,550多家晶圆厂、整合组件厂和IC设计公司一流的硅智财解决方案。自台积公司2010年创设「IP Partner Award」以来，力旺每年都以卓越的IP设计及服务获得此一奖项的肯定。

力旺在全球嵌入式非挥发性内存市场(embedded Non-volatile Memory)位居领导地位，其eNVM解决方案广泛布建于全球主要晶圆厂工艺，涵盖工艺技术之广位居业界之冠。此外，力旺也领先业界以硅晶圆生物特征开发其特有的芯片安全硅智财。

力旺的eNVM 硅智财系列包括可一次编写内存 (NeoBit/NeoFuse)、可多次编写内存 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及芯片安全硅智财NeoPUF。

更多力旺电子讯息，请见公司官网 www.ememory.com.tw 。

关于联电

联华电子（纽约证券交易所代码：UMC，台湾证券交易所代码：2303）为全球半导体晶圆专工业界的领导者，提供成熟和先进工艺的晶圆制造服务，近年来尤其专注于特殊技术，为跨越电子行业的各项主要应用产品生产芯片。联电完整的解决方案能让芯片设计公司利用尖端工艺的优势，包括28奈米High-K/Metal Gate后闸极技术、14奈米量产，提供专为AI，5G和IoT应用设计的工艺平台；另拥有汽车行业最高评级的AEC-Q100 Grade-0制造能力，可用于生产汽车中的芯片。 联电现共有十二座晶圆厂，策略性地遍及亚洲各地，每月可生产超过70万片晶圆。联电在全球约19,500名员工，在台湾、中国、欧洲、日本、韩国、新加坡及美国均设有服务据点，以满足全球客户的需求。详细信息，请参阅联华电子官网:http://www.umc.com。