聯電繼全球最小的USB 2.0測試載具通過矽驗證後，宣布更先進的22奈米技術就緒

聯電最新的特殊製程提供具競爭性的效能和從28奈米到22奈米的無縫接軌

2019年12月2日 -- 聯華電子今日(2日)表示，在使用USB 2.0測試載具首次並成功通過矽驗證之後，正式宣布更先進的22奈米製程技術就緒。相較於一般的USB 2.0 PHY IP，用於驗證的USB測試載具所使用面積為全球最小，實際展現聯電堅實的22奈米製程成熟度。新的晶片設計可使用22奈米設計準則或遵循28奈米到22奈米的轉換流程 (Porting Methodology)，無需更改現有的28奈米設計架構，因此客戶可放心地使用新的晶片設計或直接從28奈米移轉到更先進的22奈米製程。

聯華電子矽智財研發暨設計支援處陳元輝處長表示：「聯電致力於提供世界領先的晶圓專工特殊技術，並持續推出新的特殊製程技術，用以服務於5G、物聯網和車用的快速增長晶片市場。我們很高興能為客戶推出極具競爭力的22奈米製程技術，主要提昇性能、面積和易於設計的先進技術。」

聯華電子的22奈米製程與原本的28奈米高介電係數/金屬柵極製程相比，優勢在縮減10％的晶粒面積、擁有更佳的功率效能比，以及強化射頻性能等特點。另外也提供了與28奈米製程技術相容的設計規則和相同的光罩數的22奈米超低功耗 （22uLP）版本，以及22奈米超低洩漏 （22uLL）版本。此22uLP和22uLL所形成的超級組合，可支援1.0V至0.6V的電壓，協助客戶在系統單晶片（SoC）設計中同時享有兩種技術的優勢。22奈米製程平台擁有基礎元件IP支援，為市場上各種半導體應用，包括消費性電子的機上盒、數位電視、監視器、電源或漏電敏感的物聯網晶片（附帶藍牙或WiFi）和需要較長電池壽命可穿戴式產品的理想選擇。

關於聯華電子

聯華電子（紐約證券交易所代碼：UMC，台灣證券交易所代碼：2303）為全球半導體晶圓專工業界的領導者，提供成熟和先進製程的晶圓製造服務，近年來尤其專注於特殊技術，為跨越電子行業的各項主要應用產品生產晶片。聯電完整的解決方案能讓晶片設計公司利用尖端製程的優勢，包括28奈米High-K/Metal Gate後閘極技術、14奈米量產，提供專為AI，5G和IoT應用設計的製程平台；另擁有汽車行業最高評級的AEC-Q100 Grade-0製造能力，可用於生產汽車中的晶片。 聯電現共有十二座晶圓廠，策略性地遍及亞洲各地，每月可生產超過70萬片晶圓。聯電在全球約19,500名員工，在台灣、中國、歐洲、日本、韓國、新加坡及美國均設有服務據點，以滿足全球客戶的需求。詳細資訊，請參閱聯華電子官網: http://www.umc.com。