新思科技与Imec合作加速互补FET（CFET）技术建模

双方合作旨在减少亚3nm工艺中的寄生变异。

美国加利福尼亚山景城，2018 年 12 月 10 日 -- 新思科技（纳斯达克股票代码：SNPS）近日宣布，与纳米电子和数字技术领域世界领先的研究和创新中心 Imec 的长期合作中，又创下新一个里程碑：双方成功合作完成了第一项综合性寄生互补 FET（CFET）架构亚 3nm 变体建模和延迟敏感度研究。与传统的 FinFET 相比，CFET 有潜力显著减小面积，因此在控制电路规模方面，CFET 是一种更佳的方案，超过 3nm 技术。

在 3nm 和 2nm 工艺技术中，由于金属线高电阻、通孔和表面散射等因素的影响，中段制程（MOL）参数和互连中的变化幅度显著增加。因此，对寄生变化和敏感度建模是将 CFET 引入主流生产的重要因素。

通过在工艺开发的早期阶段进行预测，代工厂能够创建更稳健、变化容忍度更高的晶体管、标准单元和金属互连方法。新思科技研发中心和 Imec 研究团队密切合作，利用 QuickCap®NX 3D 场解算器支持对各种器件架构的寄生效应快速、准确的建模，并确定最关键器件尺寸和属性。由此可优化 CFET 器件，实现更好的功率/性能平衡。QuickCap NX 通过建立黄金基准值，可以有效地帮助工艺工程师了解电路性能对工艺参数变化的敏感度，提高建模准确性。QuickCap NX 是一套综合工具中的一个工具，该组工具还包括针对最大片上系统（SoC）的 Raphael™ TCAD 提取一直到 StarRC™ 寄生参数提取。

Imec 技术解决方案与支持部门主管 Anda Mocuta 表示：“借助这项工作，我们能够准确地模拟和分析互补FET 等先进制程和架构中的单元和互连变化。与新思科技的合作将延续以往成功合作经验，帮助我们探索3nm 以下的技术突破。像 QuickCap NX 等新思科技工具所具备的功能，是我们对可变性进行联合研究的关键所在。”

新思科技首席技术官 Antun Domic 表示：“Imec 始终走在半导体技术研究的最前沿。我们与 Imec 合作开发的低至 2nm 工艺的变化感知解决方案，将有利于整个半导体行业的发展。利用新思科技 QuickCap NX 3D 寄生提取接口的灵活性，工程师可以在工艺变化的情况下，更好地定位并显著减少优化电路性能所需的试验次数，降低电路敏感度，这将大大缩短器件和电路优化的 整体周转时间。”

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