灿芯半导体与成都纳能、PLDA合作推出PCIe 2.0/3.0完整解决方案
中 国，上海——2018年12月11日——国际领先的定制化芯片（ASIC）设计方案提供商及DDR控制器和物理层IP供应商——灿芯半导体（上海）有限公 司（以下简称“灿芯半导体”）对外宣布与成都纳能、PLDA合作，推出基于中芯国际40nm和55nm工艺技术的PCIe 2.0/3.0完整解决方案。
“纳 能与灿芯半导体合作，提供基于中芯国际40nm和55nm的PCIe 2.0/3.0解决方案，满足最新的PIPE规范，支持2.5G、5G数据率，功耗低、面积小，可以有效降低SoC设计风险和成本，”成都纳能首席执行官 武国胜说，“我们期待着与灿芯半导体携手，为客户提供符合相关标准的、高性能、低成本的整体解决方案。”
“PLDA 的PCIe Controller可以与任何标准的PCIe PHY匹配，这样使客户对于PHY的选择提供了很大的灵活性，”PLDA首席执行官Arnaud Schleich说，“此次与灿芯半导体进一步加深合作，提供高性能、低功耗的PCIe技术，降低SoC集成风险，将为客户提供高速数据传输需求的完整解 决方案。”
灿芯半导体首席执行官庄志青博士表示：“灿芯半导体此次与成都纳能、PLDA合作，提供基于中芯国际40nm和55nm工艺的PCIe解决方案，提升高速数据传输SoC芯片的设计能力，为通信、云计算和车用SoC芯片设计降低风险，缩短上市时间。”
关于灿芯半导体
灿 芯半导体（上海）有限公司，是一家国际领先的定制化芯片（ASIC）设计方案提供商以及DDR控制器/PHY 供应商，定位于55nm/40nm/28nm以下的高端系统级芯片（SoC）设计服务与一站式交钥匙（Turn-Key） 服务。灿芯半导体为客户提供从源代码网表到芯片成品的一站式服务，并致力于为客户的复杂ASIC设计提供一个低成本、低风险的整体解决方案。
灿芯半导体由海内外的风险投资公司于2008年投资成立，2010年和中芯国际集成电路制造有限公司结盟成战略伙伴。公司总部位于中国上海，下设北京灿芯创智和合肥灿芯科技两家子公司，同时还在美国、欧洲、日本和台湾地区等地设立行销办事处，提供客户服务。
详细信息请参考灿芯半导体网站www.britesemi.com
关于成都纳能
成 都纳能微电子有限公司位于四川省成都市高新区软件园， 是一家由海归牵头的高科技集成电路设计公司，专注于集成电路IP核的自主知识产权研发和持续创新，拥有PCIE，USB3.1/USB3.0 /USB2.0，JESD204B，V-By-One及下一代高速串行数据传输IP核等多项核心技术。
纳能技术研发团队拥有平均十年的工业界芯片设计与量产经验， 与国际主流代工厂长期保持良好的合作关系，目前在0.13um至28nm工艺节点为大量国内外客户完成了十余类集成电路IP核的设计开发与流片验证，其中包括多家国内外知名企业。
更多信息，请访问官网www.nanengmicro.com
关于PLDA
PLDA 是从事半导体知识产权 （SIP） 开发及授权的厂商，专注于提供支持数千兆速率 （2.5G，5G，8G，16G，32G，56G，112G）的高速接口互联协议，包括PCI Express，CCIX及Gen-Z等。作为高速接口协议IP行业的领导者，PLDA在全球62个国家拥有超过3200名客户和7000个IP授权许 可。PLDA是一家全球性技术公司，总部位于法国，在美国硅谷、保加利亚、中国大陆和台湾地区设有分公司及办事处。
更多的信息，请访问官网www.plda.com
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