东芝推出具备高性能、低功耗和低成本结构阵列的130nm FFSA™开发平台

- 利用子公司的晶圆厂实现长期供货 -

东京--(美国商业资讯)--东芝电子元件及存储装置株式会社 (“Toshiba”)今日宣布推出全新的130nm制造工艺、基于节点的FFSA™ (Fit Fast Structured Array)，它是一个创新的自定义系统级芯片(SoC)开发平台，具备高性能、低成本和低功耗的特点^[1]。

东芝提供适合客户企业环境和要求的专用集成电路(ASIC)和FFSA™平台，同时也为定制SoC开发提供高效的解决方案。FFSA™器件采用硅基主片，该主片通常与用于定制设计的上部金属层集成。FFSA™只需定制几个掩膜板，即可实现比单独的ASIC开发低得多的NRE成本。而且，该平台还实现了开发成本的显著降低，并能够在比传统ASIC更短的时间内提供样品并实现大批量生产。此外，FFSA™使用ASIC设计方法及其数据库实现比现场可编程门阵列(FPGA)更高的性能和更低的功耗。^[1]

130nm工艺系列与东芝现有的28nm、40nm和65nm工艺产品组合一起，使得FFSA™成为日益增长的工业设备市场的适当方案。

通过该平台设计的130nm FFSA^™器件将由东芝电子元件及存储装置株式会社旗下子公司Japan Semiconductor制造，该公司在 ASIC、ASSP和微型计算机制造方面拥有悠久的历史、雄厚的实力和专长，因此可确保长期供货并满足业务客户连续性计划的需求。

工业设备、通信设施、办公设备和消费产品市场有望实现稳步扩张，而该新系列可以提供所需的性能和集成。

FFSA™系列
工艺技术		130nm		65nm		40nm		28nm
最大门数[2]		912Kgate		21Mgate		25Mgate		100Mgate
最大SRAM存储容量		664Kbit		19Mbit		30Mbit		207Mbit
最大收发器速度		-		-		12.5Gbps		28Gbps
最大收发器通道数		-		-		14		64
最大I/O引脚数		337		1110		720		928

注：
[1] 东芝传统FPGA产品内部比较。
[2] 可用门数是一个指导基准，将因具体应用而异。

* FFSA™是东芝电子元件及存储装置株式会社的商标。
* 所有其他公司名称、产品名称和服务名称均为其各自公司的商标。

如需了解有关该产品的更多信息，请访问：
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/product/custom-soc/platform/ffsa.html

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关于东芝电子元件及存储装置株式会社

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