M31 円星科技开发多元化TSMC 28HPC + ULL Memory Compiler产品组合提供客户更具弹性的SoC设计架构

台湾新竹-2018年10月2日-全球精品IP开发商円星科技(M31 Technology，股票代号: 6643)宣布，开发多元化TSMC 28HPC+ ULL Memory Compiler产品组合，将提供客户更弹性、多样化的产品运用。

台积电设计建构营销事业处资深处长Suk Lee表示：「28HPC+ ULL编译程序Bitcell可进一步减少主流的智慧手机，移动设备，音频和SoC应用的漏电流。与28HPC相比，28HPC+的ULL内存Bitcell显著降低了物联网超低功耗应用的漏电流。藉由台积电极具竞争力的28HPC+制程技术与円星科技携手合作，将协助客户在开发尖端产品时实现性能和功能的优势。」

M31円星科技基础智财开发部副总经理石维强表示：「有别于过去仅能提供客户一套标准IP的做法，M31円星科技今年推出多项台积电28HPC+超低功耗内存编译程序产品组合方案，使客户在设计架构的选择拥有更多弹性。M31开发的台积电28HPC+超低功耗内存编译程序，以台积电

ULL SRAM bit-cell搭配不同的逻辑组件做组合，以达到各种程度的低功耗或速度效能成果，满足客户多元化的产品设计需求」。

M31円星科技针对客户不同的设计需求，将内存编译程序搭配台积电不同的内存组件，例如高密度内存组件(High Density Cell)或高电流内存组件(High Current Cell), 提供客户优化的低耗电IP组合，或不同速度下的IP组合方案，协助客户将其产品设计的功能发挥到极致，这些设计需求包括：

• IoT产品的超低功耗设计需求
• 微处理器、无线传输器等产品在速度的设计需求
• 手机驱动IC需兼具低功耗与速度的设计需求

円星科技在台积电28HPC+开发的内存编译程序IP，包括低功耗(Green Low Power)内存编译程序平台，如一端口缓存器档案 (One Port Register File) 、二端口缓存器档案(Two Port Register File)、高密度单端口 SRAM 编译程序 (High Density Single Port SRAM Compiler) 、高密度双端口 SRAM 编译程序 (High Density Dual Port SRAM Compiler) 以及 高密度VIA ROM编译程序 (High Density VIA ROM Compiler)。

透过M31円星科技创新的台积电28HPC+ IP解决方案，可协助芯片设计业者实现更低功耗、更高效能以及较小面积的智能装置产品设计，包括手机影音、无人机/车、车用电子、GPS定位等应用产品。未来円星科技M31将持续以极致工艺的精神，为全球IC产业开发高质量的精品IP。

关于円星科技 (M31 Technology)

円星科技成立于2011年10月，营运总部位于台湾新竹，是专业的IP (Silicon Intellectual Property) 开发商。円星科技拥有非常坚强的研发与服务团队，具备IP、集成电路设计以及设计自动化领域的资深工作经验。主要产品包括高速接口IP设计如USB、PCIe、MIPI、SATA等，以及基础IP如组件库(cell library)设计，内存设计(memory design),和静电防护输出入库(ESD/IO library)。円星科技的愿景是成为半导体产业最值得信赖的IP公司。更详细资料请参考公司网页 http://www.m31tech.com