无线充电、Type C应用需求强 力旺NeoMTP硅智财布局TowerJazz BCD制程技术

【新竹讯】为因应无线充电和USB Type C客户之需求，力旺电子今天宣布其嵌入式可多次编写内存硅智财NeoMTP已于TowerJazz 0.18um BCD 制程平台完成可靠度验证，即日起可供使用。力旺在专攻电源管理应用的BCD制程又完成一重大布局。

除了NeoMTP外，力旺也宣布近日会与TowerJazz合作，在65nm 5V RF CMOS制程开发可一次编写内存硅智财NeoBit设计，以满足RF和5G等通讯应用之需求。

力旺向来是电源管理IC的嵌入式非挥发性内存(embedded Non-volatile Memory)硅智财龙头。为因应无线充电和Type C客户的需求，力旺已陆续在全球各大晶圆厂BCD制程建构其eNVM硅智财解决方案。

此次力旺在TowerJazz 0.18um 1.8V/5V BCD制程通过验证的NeoMTP硅智财有几项重要技术突破，包括更宽广的操作电压区间、车规等级的耐热性，以及内存在反复编写1,000次情况下还能维持10年以上的数据保留时间。这些突破都有助IC设计厂达到车规的高温、高耐受度要求。

力旺电子业务发展副总经理何明洲表示，力旺硅智财向来是电源管理业界的第一选择，我们最清楚、也最有能力满足无线充电和Type C客户的需求。他强调，这次TowerJazz BCD平台验证的NeoMTP硅智财有不少技术突破，可让使用的客户在无线充电和TypeC等快速成长的市场享有明显的竞争优势。

IC设计厂商使用NeoMTP硅智财不仅可延长产品生命周期，而且可扩大产品之应用范围。以无线充电器为例，NeoMTP允许频繁修改原先内设之电源开关顺序、输出电流及温度控制等规格参数；此外，NeoMTP也可以让USB Type C进行多次软件及产品功能更新。

力旺的NeoMTP是业界最具成本效益的可多次编写eNVM解决方案，此方案可达到车用等应用的耐久度要求，成本却远低于嵌入式闪存。此外，也有愈来愈多IC设计公司基于效能和安全的考虑，改用NeoMTP取代外挂式EEPROM。

力旺此次于TowerJazz BCD 制程验证的NeoMTP硅智财可在车规要求的温度区间(-40°C~150°C)编写达1,000次，同时可在125°的高温下维持10年以上的数据保存时间。此外，这项硅智财还扩大操作电压区间至2.6V-5.5V，并有低功耗、高速读取等功能。

力旺电子简介

力旺电子(3529)是全球第七大半导体硅智财供货商，专精嵌入式Hard IP设计。自2000年成立以来，力旺持续提供全球1,300多家晶圆厂、整合组件厂和IC设计公司一流的硅智财解决方案。自台积公司2010年创设「IP Partner Award」以来，力旺每年都以卓越的IP设计及服务获得此一奖项的肯定。

力旺在全球嵌入式非挥发性内存市场(embedded Non-volatile Memory)位居领导地位，其eNVM解决方案广泛布建于全球主要晶圆厂制程，涵盖制程技术之广位居业界之冠。此外，力旺也领先业界以硅晶圆生物特征开发其特有的芯片安全硅智财。

力旺的eNVM 硅智财系列包括可一次编写内存 (NeoBit/NeoFuse)、可多次编写内存 (NeoMTP/NeoFlash/NeoEE)以及芯片安全硅智财NeoPUF。

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