新思科技与Samsung Foundry联手开发用于Samsung 8-nm FinFET工艺的DesignWare IP

双方协作将为在针对低功耗、高性能应用的Samsung工艺中开发SoC的设计人员提供最低风险的流片成功路径

加利福尼亚山景城，2018年3月15日 – 新思科技 (Nasdaq:SNPS) 日前宣布与Samsung Foundry合作，共同针对三星8纳米 (nm) Low Power Plus (8LPP) FinFET工艺技术开发DesignWare® Foundation IP。与三星10LPP工艺相比，通过采用三星最新工艺技术提供DesignWare逻辑库和嵌入式存储器IP，设计人员可以减小功耗和面积。 DesignWare Foundation IP的开发旨在满足严格的汽车级要求，使设计人员能够加快其高级驾驶员辅助系统 (ADAS) 和信息娱乐芯片系统 (SoC) 的ISO 26262和AEC-Q100认证。DesignWare逻辑库和嵌入式存储器IP将由新思科技通过三星8LPP工艺代工厂赞助的IP计划而提供，这样， 符合资格的客户可以免费获得IP许可。双方的合作增强了新思科技与三星的长期合作关系，并提供硅验证IP，帮助设计人员满足大量应用的性能、功耗和面积要 求，包括移动、汽车和云计算。

三星电子设计支持副总裁Jongwook Kye说：“三星与新思科技在过去十年内的合作实现了移动和消费者应用中数十亿件IC的流片成功。随着设计日益复杂，并且迁移到更小的FinFET工艺， 三星先进的8LPP工艺和新思科技优秀的Foundation IP解决方案将使设计人员能够为移动、加密货币和网络/服务器应用设计出差异化产品，加快项目进程，并且快速投入批量生产。”

新思科技IP营销副总裁John Koeter说：“三星和新思科技在为设计人员提供针对三星180-10纳米工艺的硅验证DesignWare IP方面拥有长期的成功合作经验。作为在FinFET工艺上有100多个测试芯片产品定案的物理IP领先提供商，新思科技在IP开发方面持续大量投资，旨 在帮助设计人员充分利用三星最新工艺技术，降低风险，并且加快其SoC的开发。”