力旺电子推出最新车规嵌入式EEPROM IP编写次数达50万次以上
【新竹讯】力旺电子最新推出编写次数超过50万次的嵌入式EEPROM（电子抹除式可复写只读存储器）硅智财(Silicon IP)，符合高温、耐用及生命周期长的车规标准，为力旺在车用电子市场的最新布局。
这项强化版IP是力旺NeoEE嵌入式EEPROM家族的最新产品。新版IP编写次数是原版的数十倍，编写/抹除(Program/Erase)时间则缩减近半，数据保存期限在150°C高温操作下可达10年。
新版NeoEE与现有逻辑工艺及车规常用的BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)工艺完全兼容，无需外加光罩即可整合至不同类型之工艺平台。这项IP已通过晶圆厂0.18um/5V工艺平台的验证，力旺已着手布建这项技术至其他5V平台。
强化版NeoEE非常适合有高编写需求的应用，包括指纹辨识、智能卡、NFC、RFID，电源管理IC和单片机等。此外，这项IP的耐受度(endurance)、高温操作及生命周期完全依照AEC-Q100的车规标准设计，并通过严格的测试。
可编写内存经过重复编写后，稳定度会逐次递减，主要是因为重复编写会改变内存的电子分布，导致编写和抹除位间的讯号差异愈来愈不明显，最后终至无法分辨。
力旺电子的嵌入式非挥发性内存(Non-volatile Memory)硅智财市占率领先全球，已累积十多年的量产经验。此次力旺透过优化内存单元架构及采用新的编写/抹除运算法，减轻重复编写造成的内存损耗，大幅提升NeoEE的重复编写能力至50万次以上。
强化版NeoEE经过长达2,500个小时150°C高温测试后，编写和抹除位状态依旧稳定，并无电流(压)增加或流失的现象。
NeoEE结构简单，抹写次数可高达1千至50万次以上，最高容量达16K bits，可操作温度区间为-40~150°C，资料保存期限长达10年。
由于与现有逻辑工艺完全兼容，NeoEE无需外加任何光罩即可整合至不同类型之工艺平台，代工厂导入成本极低且可节省产品开发时间。另外，NeoEE还具备低功率消耗的优点。
NeoEE 硅智财以标准5V MOS工艺平台为开发基础，容易整合至车用电子常使用的高压(HV) 及BCD等工艺平台。从成本及安全角度考虑，结构简单、安全的NeoEE是取代传统外挂式EEPROM的理想选择。
关于力旺电子
力旺电子(股票代码:3529)成立于2000年8月，专注于逻辑工艺嵌入式非挥发性内存硅智财开发。自成立迄今，力旺电子投入研发自有创新技术，开发出NeoBit(一次性与多次性读写编程组件)、NeoFuse(一次性与多次性读写编程组件)、NeoMTP(一千次以上重复读写编程组件)、NeoFlash(一万次以上重复读写编程组件)、NeoEE(十万次以上重复读写编程组件)等领先性产品，并持续发展先进技术，致力于提供客户广泛的硅智财技术服务、非挥发性内存组件与嵌入式内存应用等，为全方位之嵌入式非挥发性内存硅智财供货商。如需取得更多力旺相关资料，请参见官方网站：www.ememory.com.tw.
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