格芯宣布推出基于行业领先的22FDX® FD-SOI 平台的嵌入式磁性随机存储器

9月 25, 2017

先进的嵌入式非易失内存解决方案在22纳米工艺节点上扩展片上系统（SoC）性能，实现“智能互联”

中国，上海（2017年9月25日）——格 芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。

正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸，拥有在260°C回流焊中保留数据的能力，同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。这项行业领先的技术优势使其能够被用于通用、工业和汽车领域的微控制器单元(MCU)。FDX^TM和eMRAM的能效连同射频连接功能和毫米波IP，使得22FDX成为电池驱动的物联网和自动驾驶汽车雷达片上系统(SoCs)的理想平台。

“随 着越来越多的应用需要高性能、非易失性的内存解决方案，客户都在设法扩展产品的能力。”格芯eMRAM事业部副总裁Dave Eggleston表示，“我们很高兴能发布22FDX eMRAM。作为一种具有卓越可靠性的嵌入式内存技术，它能够为系统设计者在微控制器（MCUs）和片上系统（SoCs）中提供更多功能，同时提高其性能 和能效。”

格芯eMRAM的高可靠性和可扩展性使其 在多个市场的先进工艺节点上都是一个成本优化的选择。此外，格芯eMRAM的多功能性让其能同时兼备快写性能与高持久性，这也使得它能同时被用于代码存储 和工作存储。这一22FDX eMRAM的推出是格芯与Everspin 科技公司多年合作的成果。目前，1Gb容量的双倍速率MRAM芯片已进行了演示并提供样片，256Mb容量的双倍速率MRAM芯片已量产，并由 Everspin独家供货。

22FDX eMRAM和射频解决方案的工艺设计工具包现已发布。面向22FDX eMRAM客户样片的多项目晶圆(MPWs)正在如期进行中，并将在2018年第一季度交付，且计划于2018年底进行风险量产。格芯及其设计合作伙伴已 推出eMRAM定制设计服务，包括从2Mb到32Mb容量的eMRAM，并提供设计便捷的嵌入式闪存（eFlash）和静态随机存储器（SRAM）接口选 项。

有兴趣了解更多关于格芯22FDX eMRAM解决方案的客户可以联系格芯销售代表或登录网站www.globalfoundries.com/cn。

关于格芯

格 芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格 芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。