力旺電子NeoFuse矽智財領先業界 推進40奈米嵌入式高壓製程

2016/05/23【新竹訊】力旺電子今日宣布，其OTP NeoFuse矽智財領先業界，於世界級晶圓代工廠的40奈米嵌入式高壓製程 (Embedded High Voltage，EHV)完成可靠度驗證，客戶同時也在該代工廠完成設計定案(Tape Out)，即將進入量產。為了滿足液晶顯示器驅動晶片(LCD Driver IC)與有機發光二極體顯示器驅動晶片(OLED Driver IC)需要作參數調校與功能設定的需求，邏輯製程非揮發性記憶體(Logic-Based Non-Volatile Memory，Logic NVM)解決方案已經是EHV製程上的標準配備。此項在高壓製程之進展，預期將使NeoFuse矽智財被更加廣泛地嵌入使用於新一代顯示器相關領域之各項 應用。

力旺電子於40奈米EHV製程佈建之NeoFuse矽智財採用雙電壓的供電模式，並維持在其他製程上一貫的優異性能，可以達到低電壓操作。在40奈 米EHV製程上，NeoFuse矽智財的電壓範圍最低可到達1.8伏特，該項在低電壓可以讀取資料的優異特性，使驅動晶片得以於系統啟動前即完成資料讀取 與調校。

過去十年間，力旺電子已成功將Logic NVM解決方案廣泛佈建於各製程世代的高壓製程上，提供顯示器與觸控面板相關應用客戶提供多元解決方案，並強化客戶產品競爭力。做為Logic NVM矽智財之領導廠商，力旺電子與客戶及晶圓代工廠夥伴緊密合作，充份掌握製程開發與製程世代之演進，以期在製程開發初期即完成Logic NVM矽智財之驗證，有效協助客戶搶得市場先機，而此成功的經驗沒有例外地在40奈米EHV製程上再次實現。

力旺電子不僅引領業界，率先於40奈米EHV製程推出Logic NVM解決方案，其NeoFuse技術亦同步在其他的世界級晶圓代工廠之40奈米高壓製程(High Voltage，HV)進行佈局，預計本季即完成可靠度驗證，將可提供客戶更多元的選擇。展望未來，力旺電子將持續與晶圓代工廠緊密合作，拓展各製程平台 之佈局，為客戶提供完整的Logic NVM技術與矽智財服務。