力旺電子瞄準物聯網應用 推出進階版NeoFuse矽智財

2016/04/07 -- 【新竹訊】力旺電子宣佈在55奈米超低功耗(Ultra-Low-Power，ULP)製程平台推出進階版 NeoFuse矽智財並完成特性規格驗證，強攻物聯網在低功耗與安全防護之應用需求，此解決方案已獲得客户採用於產品設計，準備進入試產階段。力旺電子進 階版NeoFuse矽智財擁有低電壓操作、矽智財面積最佳化與內建電荷幫浦(Charge Pumping)線路之優勢，能協助客戶在電池供電及物聯網應用之產品的設計上提升線路設計之靈活性與晶片整合度，更進一步達到最佳能耗表現。其獨特的密 碼金鑰與隨機編碼產生(Random Seed Generation)功能，更能為物聯網應用產品打造安全的資料傳送環境，進而提升客戶產品附加價值，強化市場競爭力。

建構於55奈米超低功耗製程平台之進階版NeoFuse矽智財，具備0.9伏超低讀取電壓的特性，使得系統晶片得以在功能啟動的最初階段即完成參數 的設定與資料的讀取。除此之外，此解決方案僅須增加微幅的面積，即可嵌入內建電荷幫浦線路，提供在編程模式(Programming Mode)下寫入資料所需要的高電壓。在不需要考慮提供高電壓的情況下，客戶採用嵌入式非揮發性記憶體解決方案的步驟得以簡化，進而加速產品開發，取得市 場先機。

力旺電子OTP事業群盧俊宏副總經理指出：「除了要求低功耗的表現之外，越來越多對超低功耗製程平台有興趣的矽智財使用客戶亦對於低電壓操作、壓縮 矽智財面積與簡易的供電方式有殷切需求。力旺電子瞄準此市場趨勢，於55奈米超低功耗製程平台推出進階版NeoFuse矽智財，並將持續於更多超低功耗製 程平台進行驗證，以提供客戶更多元的選擇，同時拓展力旺電子矽智財之市場滲透率。」

為滿足物聯網產品的應用需求，超低功耗製程平台上的嵌入式邏輯非揮發性記憶體解決方案將朝向寬幅的工作電壓區間、以及在有限增幅面積下納入更多內建 功能的趨勢發展。力旺電子矽智財佈局與市場脈動緊密連結，於已佈建NeoFuse技術之各製程平台上提供進階版NeoFuse矽智財，為物聯網相關應用客 戶提供兼顧能耗、效能與安全防護之最佳解決方案。